Производитель Номер продукта:
IPI60R099CPXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI60R099CPXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800175
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI60R099CPXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
99mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2800 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
255W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI60R099
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPI60R099CP-DG
IPI60R099CP
IPI60R099CPXKSA1-DG
SP000297356
448-IPI60R099CPXKSA1
IPI60R099CPAKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BTS121ANKSA1
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
BSC084P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
IPD50R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3