Производитель Номер продукта:
IPD068P03L3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD068P03L3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Подробное описание:
P-Channel 30 V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
6877 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805119
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD068P03L3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.8mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7720 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD068
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD068P03L3GATMA1DKR
IPD068P03L3GATMA1-DG
SP001127838
IPD068P03L3GATMA1CT
IPD068P03L3GATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD65R250C6XTMA1
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
IRF6620TR1
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
IPI65R420CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262-3
