Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD12CN10NGATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD12CN10NGATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
7180 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801313
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD12CN10NGATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.4mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 83µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4320 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD12CN10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD12CN10NGATMA1
HTML Спецификация
IPD12CN10NGATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP001127806
IPD12CN10NGATMA1CT
IPD12CN10NGATMA1-DG
IPD12CN10NGATMA1DKR
IPD12CN10NGATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
IPD60R2K1CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
IPD60R520CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
IPD60R380C6
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3