Производитель Номер продукта:
IPD14N06S280ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD14N06S280ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Подробное описание:
N-Channel 55 V 17A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
4159 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800488
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD14N06S280ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 14µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
293 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
47W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD14N06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
INFINFIPD14N06S280ATMA2
2156-IPD14N06S280ATMA2
448-IPD14N06S280ATMA2DKR
448-IPD14N06S280ATMA2TR
SP001063642
IPD14N06S280ATMA2-DG
448-IPD14N06S280ATMA2CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
IPD135N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
IPB034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7