Производитель Номер продукта:
IPD30N06S2L13ATMA4
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD30N06S2L13ATMA4-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Подробное описание:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
19615 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800492
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD30N06S2L13ATMA4 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD30N06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD30N06S2L13ATMA4TR
SP001061280
2156-IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4DKR
INFINFIPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4-DG
IPD30N06S2L13ATMA4CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD122N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
BUZ31
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
