Производитель Номер продукта:
IPD30N06S223ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD30N06S223ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Подробное описание:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
2350 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12813369
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD30N06S223ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
23mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
901 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD30N06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP001061722
448-IPD30N06S223ATMA2DKR
2156-IPD30N06S223ATMA2
448-IPD30N06S223ATMA2TR
INFINFIPD30N06S223ATMA2
IPD30N06S223ATMA2-DG
448-IPD30N06S223ATMA2CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLL2703TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
IRFS3507
MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
