Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPP60R330P6XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP60R330P6XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 93W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12813462
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP60R330P6XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ P6
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
330mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 370µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1010 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
93W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPP60R330P6XKSA1
HTML Спецификация
IPP60R330P6XKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP001017060
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP18N60DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
920
Номер части
STP18N60DM2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.04
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TK12E60W,S1VX
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
50
Номер части
TK12E60W,S1VX-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.42
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP17N80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STP17N80K5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.15
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXFP22N60P3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1
Номер части
IXFP22N60P3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.48
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPP60R360P7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPP60R360P7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.66
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPS1101PWR
MOSFET P-CH 15V 2.18A 16TSSOP
IPU60R1K0CEAKMA2
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
TPS1100DR
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
IRF6716MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET