Производитель Номер продукта:
IPD320N20N3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD320N20N3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
3373 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804053
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD320N20N3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
32mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD320
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD320N20N3GATMA1DKR
IPD320N20N3GATMA1TR
IPD320N20N3GATMA1CT
SP001127832
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF9310PBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
IPI80N06S407AKSA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
IPN70R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
