Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD50R1K4CEBTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD50R1K4CEBTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12800606
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD50R1K4CEBTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 70µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
178 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD50R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD50R1K4CEBTMA1
HTML Спецификация
IPD50R1K4CEBTMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD50R1K4CECT
IPD50R1K4CETR
IPD50R1K4CETR-DG
IPD50R1K4CECT-DG
IPD50R1K4CEDKR-DG
IPD50R1K4CEBTMA1CT
IPD50R1K4CEBTMA1DKR
INFINFIPD50R1K4CEBTMA1
IPD50R1K4CEDKR
2156-IPD50R1K4CEBTMA1-ITTR
IPD50R1K4CEBTMA1TR
SP000992072
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RJK5033DPD-00#J2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Renesas Electronics Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6000
Номер части
RJK5033DPD-00#J2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.88
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPD60R1K4C6ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
19965
Номер части
IPD60R1K4C6ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.31
Тип замещения
Direct
Номер детали
IPD50R1K4CEAUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4935
Номер части
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.17
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
IAUC120N04S6N009ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
IPD50N04S309ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3