Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD50R950CEATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD50R950CEATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12803305
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD50R950CEATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
231 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
53W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD50R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD50R950CEATMA1
HTML Спецификация
IPD50R950CEATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD50R950CEATMA1-DG
SP001117712
IPD50R950CEATMA1CT
IPD50R950CEATMA1DKR
IPD50R950CEATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD50R950CEAUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4115
Номер части
IPD50R950CEAUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.18
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
SPD04N50C3ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7723
Номер части
SPD04N50C3ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.57
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF1503PBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
IPS80R900P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
IRFB4710PBF
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB