Производитель Номер продукта:
IPD60N10S4L12ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60N10S4L12ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Инвентаризация:
71745 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800829
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60N10S4L12ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 46µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3170 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
94W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-313
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60N10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD60N10S4L12ATMA1DKR
SP000866550
IPD60N10S4L12ATMA1TR
IPD60N10S4L12ATMA1-DG
IPD60N10S4L12ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB80N06S2L09ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB64N25S320ATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
IPFH6N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
