Производитель Номер продукта:
IPD60R280PFD7SAUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60R280PFD7SAUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Инвентаризация:
1871 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12810866
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60R280PFD7SAUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ PFD7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 180µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
656 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
51W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-344
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
448-IPD60R280PFD7SAUMA1TR
448-IPD60R280PFD7SAUMA1DKR
SP003493724
448-IPD60R280PFD7SAUMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPT60R022S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252