Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD60R380E6ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60R380E6ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12803519
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60R380E6ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ E6
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
700 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD60R380E6ATMA2
HTML Спецификация
IPD60R380E6ATMA2-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
INFINFIPD60R380E6ATMA2
2156-IPD60R380E6ATMA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TSM70N380CP ROG
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Taiwan Semiconductor Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
14899
Номер части
TSM70N380CP ROG-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.39
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPD60R360P7ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7000
Номер части
IPD60R360P7ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.54
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TK380P60Y,RQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5725
Номер части
TK380P60Y,RQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.57
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFZ44VZPBF
MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
IRF7701
MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
IRF7463TR
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPDD60R102G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10