Производитель Номер продукта:
IPD60R380P6BTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60R380P6BTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
12804686
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60R380P6BTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ P6
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 320µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
877 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD60R380P6BTMA1CT
IPD60R380P6BTMA1DKR
IPD60R380P6BTMA1TR
SP001017052
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD60R380P6ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPD60R380P6ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.69
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP60R600CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
IRF7759L2TR1PBF
MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
IPW50R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
