Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD65R600E6ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD65R600E6ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12803043
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD65R600E6ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ E6
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 210µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
63W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD65R600
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD65R600E6ATMA1
HTML Спецификация
IPD65R600E6ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP001117096
2156-IPD65R600E6ATMA1
ROCINFIPD65R600E6ATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STD11N60DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1905
Номер части
STD11N60DM2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.67
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPD70R600P7SAUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
12894
Номер части
IPD70R600P7SAUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.26
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7477
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPA65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
IRF9530NS
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
IPD90N10S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3