Производитель Номер продукта:
IPD95R450PFD7ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD95R450PFD7ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 950 V 13.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12989740
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD95R450PFD7ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
950 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 360µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1230 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
448-IPD95R450PFD7ATMA1TR
448-IPD95R450PFD7ATMA1CT
SP005547015
448-IPD95R450PFD7ATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPA95R310PFD7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 8.7A TO220-3
G050N03S
N30V, 18A,RD<5M@10V,VTH1.1V~2.4V
G050N03S
MOSFET N-CH 30V 18A SOP-8
