Производитель Номер продукта:
IPDD60R150G7XTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPDD60R150G7XTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Подробное описание:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Инвентаризация:
41 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804700
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPDD60R150G7XTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ G7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 260µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
902 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
95W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HDSOP-10-1
Упаковка / Чехол
10-PowerSOP Module
Базовый номер продукта
IPDD60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,700
Другие названия
2156-IPDD60R150G7XTMA1
IPDD60R150G7XTMA1TR
IPDD60R150G7XTMA1CT
IFEINFIPDD60R150G7XTMA1
IPDD60R150G7XTMA1DKR
SP001632838
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP65R310CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
IPA65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
IRF2807ZLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A TO262