IPF014N08NF2SATMA1
Производитель Номер продукта:

IPF014N08NF2SATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPF014N08NF2SATMA1-DG

Описание:

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 80 V 282A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-14

Инвентаризация:

1166 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997374
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPF014N08NF2SATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
StrongIRFET™ 2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
282A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 267µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12000 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7-14
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Базовый номер продукта
IPF014N

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
448-IPF014N08NF2SATMA1TR
448-IPF014N08NF2SATMA1DKR
448-IPF014N08NF2SATMA1CT
SP005578878

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panjit

PJMD900N60EC_L2_00001

600V SUPER JUNCITON MOSFET

epc-space

FBG20N18BC

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

rohm-semi

R6524KNXC7G

650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

vishay-siliconix

SQA405CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)