Производитель Номер продукта:
IPG20N04S412ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPG20N04S412ATMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Подробное описание:
Mosfet Array 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Инвентаризация:
12801332
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPG20N04S412ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 15µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1470pF @ 25V
Мощность - Макс
41W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-4
Базовый номер продукта
IPG20N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
2156-IPG20N04S412ATMA1
INFINFIPG20N04S412ATMA1
448-IPG20N04S412ATMA1DKR
448-IPG20N04S412ATMA1CT
448-IPG20N04S412ATMA1TR
IPG20N04S412ATMA1-DG
SP000705560
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FF8MR12W2M1B11BOMA1
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
IRF7503TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
EPC2102
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
