Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPG20N06S415AATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPG20N06S415AATMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 20A 50W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Инвентаризация:
2 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802769
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPG20N06S415AATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A
Rds On (макс.) @ id, vgs
15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2260pF @ 25V
Мощность - Макс
50W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-10
Базовый номер продукта
IPG20N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPG20N06S415AATMA1
HTML Спецификация
IPG20N06S415AATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
IPG20N06S415AATMA1-DG
INFINFIPG20N06S415AATMA1
SP001265578
2156-IPG20N06S415AATMA1
IPG20N06S415AATMA1CT
IPG20N06S415AATMA1DKR
IPG20N06S415AATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPG20N06S415ATMA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3754
Номер части
IPG20N06S415ATMA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.47
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSO615CGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
IPG20N10S4L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
IRF7379QTRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
IRF7389
MOSFET N/P-CH 30V 8SO