Производитель Номер продукта:
IPG20N10S4L22AATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPG20N10S4L22AATMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 20A 60W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Инвентаризация:
22047 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804374
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
czeJ
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPG20N10S4L22AATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1755pF @ 25V
Мощность - Макс
60W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-10
Базовый номер продукта
IPG20N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
IPG20N10S4L22AATMA1TR
IPG20N10S4L22AATMA1DKR
IPG20N10S4L22AATMA1CT
SP001091984
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF9952TR
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
IRF5851
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
IRF7316GTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO