Производитель Номер продукта:
IPI076N15N5AKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI076N15N5AKSA1-DG
Описание:
MV POWER MOS
Подробное описание:
N-Channel 150 V 112A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
455 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803224
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI076N15N5AKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
112A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.6mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.6V @ 160µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4700 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
214W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI076
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
IPI076N15N5AKSA1-DG
448-IPI076N15N5AKSA1
SP001326438
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
IPW60R280P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
