Производитель Номер продукта:
IPI084N06L3GXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI084N06L3GXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Инвентаризация:
12803247
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI084N06L3GXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 34µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4900 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
79W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI084N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP001065242
2156-IPI084N06L3GXKSA1
IFEINFIPI084N06L3GXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPC302N08N3X1SA1
MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
IRFR4105ZTRL
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPC65R070C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE