Производитель Номер продукта:
IPI120P04P4L03AKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI120P04P4L03AKSA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 40V 120A TO262-3
Подробное описание:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Инвентаризация:
12802913
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI120P04P4L03AKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 340µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI120P
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000842296
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP120P04P4L03AKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPP120P04P4L03AKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.07
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF2807ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
IRF6215S
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
IRF6621TR1
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
