Производитель Номер продукта:
IPI60R125CPXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI60R125CPXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
490 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800461
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI60R125CPXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1.1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI60R125
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPI60R125CP
IPI60R125CP-DG
SP000297355
2156-IPI60R125CPXKSA1
INFINFIPI60R125CPXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB039N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
BSS123L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPD60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3