Производитель Номер продукта:
IPI80N06S208AKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI80N06S208AKSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Инвентаризация:
12802892
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI80N06S208AKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2860 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
215W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI80N06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
448-IPI80N06S208AKSA2
IPI80N06S208AKSA2-DG
SP001067886
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPI80N06S407AKSA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
500
Номер части
IPI80N06S407AKSA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.80
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFS4321-7PPBF
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK
IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
