IPL60R180P6AUMA1
Производитель Номер продукта:

IPL60R180P6AUMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPL60R180P6AUMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Подробное описание:
N-Channel 600 V 22.4A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

Инвентаризация:

12801302
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPL60R180P6AUMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 750µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2080 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
176W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-VSON-4
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Базовый номер продукта
IPL60R

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
IPL60R180P6AUMA1CT
SP001017098
IPL60R180P6AUMA1TR
IPL60R180P6AUMA1DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
2A (4 Weeks)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPB50R199CPATMA1

MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3

infineon-technologies

BSS119L6433HTMA1

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

infineon-technologies

IPB09N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3

infineon-technologies

IPD85P04P407ATMA1

MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3