Производитель Номер продукта:
IPL60R180P6AUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPL60R180P6AUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Подробное описание:
N-Channel 600 V 22.4A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Инвентаризация:
12801302
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPL60R180P6AUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 750µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2080 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
176W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-VSON-4
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Базовый номер продукта
IPL60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
IPL60R180P6AUMA1CT
SP001017098
IPL60R180P6AUMA1TR
IPL60R180P6AUMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
2A (4 Weeks)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB50R199CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
BSS119L6433HTMA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPB09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
