Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSS119L6433HTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS119L6433HTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12801309
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS119L6433HTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
78 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSS119L6433HTMA1
HTML Спецификация
BSS119L6433HTMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
BSS119 L6433-DG
SP000247291
BSS119 L6433DKR-DG
BSS119 L6433
BSS119 L6433CT-DG
BSS119 L6433DKR
BSS119L6433HTMA1TR
BSS119L6433HTMA1DKR
BSS119 L6433TR-DG
BSS119 L6433CT
BSS119L6433
BSS119L6433HTMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSS123L
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
BSS123L-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BSS123
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
143884
Номер части
BSS123-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.01
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BSS123,215
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
145643
Номер части
BSS123,215-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BSS123-7-F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
288176
Номер части
BSS123-7-F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
ZVN3310FTA
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6862
Номер части
ZVN3310FTA-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.19
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
IPD12CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3