Производитель Номер продукта:
IPL65R130C7AUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPL65R130C7AUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Подробное описание:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 102W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Инвентаризация:
12810096
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPL65R130C7AUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ C7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 440µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1670 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
102W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-VSON-4
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Базовый номер продукта
IPL65R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
IPL65R130C7AUMA1TR
IPL65R130C7AUMA1CT
SP001032724
IPL65R130C7AUMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
2A (4 Weeks)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD60R3K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
BUK754R7-60E,127
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
BUK9610-55A,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
