Производитель Номер продукта:
IPN50R800CEATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPN50R800CEATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Инвентаризация:
15140 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802708
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPN50R800CEATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
280 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
IPN50R800
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SP001461196
IPN50R800CEATMA1TR
2156-IPN50R800CEATMA1
IPN50R800CEATMA1DKR
IPN50R800CEATMA1CT
IPN50R800CEATMA1-DG
IFEINFIPN50R800CEATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPU60R2K0C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
IRF3515STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
