Производитель Номер продукта:
IPP018N10N5XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP018N10N5XKSA1-DG
Описание:
TRENCH >=100V
Подробное описание:
N-Channel 100 V 205A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
170 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13002350
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP018N10N5XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
205A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.83mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
16000 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP005736885
448-IPP018N10N5XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMPB13XNEZ
PMPB13XNE/SOT1220/SOT1220
IQE022N06LM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100V
IQE220N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
