Производитель Номер продукта:
IPP027N08N5AKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP027N08N5AKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12858542
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP027N08N5AKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 154µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8970 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
214W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP027
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
2156-IPP027N08N5AKSA1
INFINFIPP027N08N5AKSA1
SP001132484
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HAT2131R-EL-E
MOSFET N-CH 350V 900MA 8SOP
NTMFS5C604NLT3G
MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
NTD14N03RT4
MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
