Производитель Номер продукта:
IPP029N06NXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP029N06NXKSA1-DG
Описание:
TRENCH 40<-<100V
Подробное описание:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
13269127
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP029N06NXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.3V @ 75µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5125 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
448-IPP029N06NXKSA1
SP005573712
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ISC015N06NM5LF2ATMA1
TRENCH 40<-<100V
IRFB4110PBFXKMA1
TRENCH >=100V
IAUCN04S7N006ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
