Производитель Номер продукта:
IPP041N04NGXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP041N04NGXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
531 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803696
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP041N04NGXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 45µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4500 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
94W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP041
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP000680790
IPP041N04N G-DG
2156-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NGXKSA1-DG
IPP041N04N G
448-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD50N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD25CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
