Производитель Номер продукта:
IPP084N06L3GHKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP084N06L3GHKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
12804474
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP084N06L3GHKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 34µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4900 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
79W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP084N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000398080
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRLZ44PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1827
Номер части
IRLZ44PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.10
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRF9321TRPBF
MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
IPC60R280E6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
