Производитель Номер продукта:
IPP120P04P4L03AKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP120P04P4L03AKSA2-DG
Описание:
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Подробное описание:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
686 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12928907
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP120P04P4L03AKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS®-P2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 340µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+5V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP002581210
448-IPP120P04P4L03AKSA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTR3161NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT23-3
JANTX2N6770
MOSFET N-CH 500V 12A TO3
AOD9N50
MOSFET N-CH 500V 9A TO252
