Производитель Номер продукта:
IPP60R099P7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP60R099P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
1904 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803485
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP60R099P7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 530µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1952 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
117W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP60R099
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
IPP60R099P7XKSA1-DG
448-IPP60R099P7XKSA1
SP001647032
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB60R299CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
IPP80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
