Производитель Номер продукта:
IPP65R150CFDAAKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP65R150CFDAAKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
480 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801333
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP65R150CFDAAKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 900µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2340 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
195.3W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP65R150
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP000928272
ROCINFIPP65R150CFDAAKSA1
2156-IPP65R150CFDAAKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB80N06S207ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRFH8311TRPBF
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
IPI65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
