Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPP80R600P7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP80R600P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12823130
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP80R600P7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 170µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
570 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
60W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP80R600
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPP80R600P7XKSA1
HTML Спецификация
IPP80R600P7XKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001644610
2156-IPP80R600P7XKSA1
ROCINFIPP80R600P7XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFP16N60P3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
47
Номер части
IXFP16N60P3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.49
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXTP8N65X2M
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
46
Номер части
IXTP8N65X2M-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.27
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXFP14N60P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFP14N60P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.90
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXTP14N60P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
230
Номер части
IXTP14N60P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.05
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXTP8N70X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
28
Номер части
IXTP8N70X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.74
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AUIRFL014N
MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
IRF6646TR1PBF
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
IRF6810STRPBF
MOSFET N CH 25V 16A S1
IRFR812TRPBF
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK