Производитель Номер продукта:
IPS70R1K4CEAKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPS70R1K4CEAKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
Подробное описание:
N-Channel 700 V 5.4A (Tc) 53W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Инвентаризация:
12806767
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPS70R1K4CEAKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
225 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
53W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3-11
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовый номер продукта
IPS70R1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
INFINFIPS70R1K4CEAKMA1
2156-IPS70R1K4CEAKMA1
SP001467042
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPS70R1K4P7SAKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.18
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL3705NSPBF
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
IPL60R060CFD7AUMA1
MOSFET N CH
SPB80N06S2-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
