IPT014N08NM5ATMA1
Производитель Номер продукта:

IPT014N08NM5ATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPT014N08NM5ATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 37A (Ta), 331A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

Инвентаризация:

2209 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965557
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPT014N08NM5ATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
37A (Ta), 331A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 280µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14000 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Базовый номер продукта
IP5014N

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
448-IPT014N08NM5ATMA1CT
448-IPT014N08NM5ATMA1DKR
SP005538332
448-IPT014N08NM5ATMA1TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIRA58ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK

infineon-technologies

IPD60R600PFD7SAUMA1

CONSUMER PG-TO252-3

nexperia

PSMN3R5-80YSFX

NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,

vishay-siliconix

SI7117DN-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK