Производитель Номер продукта:
IPT60R102G7XTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPT60R102G7XTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Подробное описание:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 141W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Инвентаризация:
585 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804697
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPT60R102G7XTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ G7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
102mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 390µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1320 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
141W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8-2
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Базовый номер продукта
IPT60R102
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
2156-IPT60R102G7XTMA1
IPT60R102G7XTMA1DKR
IPT60R102G7XTMA1CT
INFINFIPT60R102G7XTMA1
IPT60R102G7XTMA1TR
SP001579318
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR24N15DTRPBF
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
IPC90R800C3X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPDD60R150G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
