Производитель Номер продукта:
IPTG039N15NM5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPTG039N15NM5ATMA1-DG
Описание:
TRENCH >=100V
Подробное описание:
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8
Инвентаризация:
12989220
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPTG039N15NM5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Ta), 190A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.6V @ 243µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7300 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 319W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOG-8
Упаковка / Чехол
8-PowerSMD, Gull Wing
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,800
Другие названия
448-IPTG039N15NM5ATMA1TR
448-IPTG039N15NM5ATMA1DKR
448-IPTG039N15NM5ATMA1CT
SP005676943
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MCB110N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
MCB120N08Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
G2K3N10H
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
