Производитель Номер продукта:
IPW60R017C7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW60R017C7XKSA1-DG
Описание:
HIGH POWER_NEW
Подробное описание:
N-Channel 600 V 109A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Инвентаризация:
12803928
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW60R017C7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
109A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 58.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 2.91mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9890 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
446W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-41
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW60R017
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
IPW60R017C7XKSA1-DG
448-IPW60R017C7XKSA1
SP001313542
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPZ60R017C7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
257
Номер части
IPZ60R017C7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
14.02
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
IPW65R190C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
