Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPW65R190C6FKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW65R190C6FKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12803930
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW65R190C6FKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 730µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1620 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
151W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-1
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW65R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPW65R190C6FKSA1
HTML Спецификация
IPW65R190C6FKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
240
Другие названия
2156-IPW65R190C6FKSA1-IT
IFEINFIPW65R190C6FKSA1
IPW65R190C6-DG
IPW65R190C6
SP000863902
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FCH190N65F-F155
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
415
Номер части
FCH190N65F-F155-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.95
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXFH22N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFH22N65X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.08
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPW60R180P7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
237
Номер части
IPW60R180P7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.54
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STW24N60DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
14
Номер части
STW24N60DM2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.22
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STW31N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6
Номер части
STW31N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.20
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
IRFR3504TRPBF
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
IRF7207
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IRF6601
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET