IPW60R070C6FKSA1
Производитель Номер продукта:

IPW60R070C6FKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPW60R070C6FKSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 53A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Инвентаризация:

578 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805163
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPW60R070C6FKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
70mOhm @ 25.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1.72mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3800 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
391W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-1
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW60R070

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
IPW60R070C6-DG
2156-IPW60R070C6FKSA1
IPW60R070C6
SP000645060
IPW60R070C6FKSA1-DG
448-IPW60R070C6FKSA1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IXFX64N60P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
911
Номер части
IXFX64N60P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
13.25
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXFX80N60P3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3
Номер части
IXFX80N60P3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
11.27
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TK35N65W,S1F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15
Номер части
TK35N65W,S1F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.78
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STW65N65DM2AG
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
393
Номер части
STW65N65DM2AG-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.65
Тип замещения
Direct
Номер детали
STW45N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
224
Номер части
STW45N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.46
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPD25CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3

infineon-technologies

IRF6626

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFR9024NTRRPBF

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

infineon-technologies

IRFHM9391TRPBF

MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN