Производитель Номер продукта:
IPW60R070P6XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW60R070P6XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Инвентаризация:
240 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12823210
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW60R070P6XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
53.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
70mOhm @ 20.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.72mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4750 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
391W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW60R070
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
SP001114660
IPW60R070P6XKSA1-DG
448-IPW60R070P6XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTQ160N10T
MOSFET N-CH 100V 160A TO3P
FCI11N60
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
IRF6617TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
