Производитель Номер продукта:
IPW60R099CPAFKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW60R099CPAFKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Инвентаризация:
196 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803083
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW60R099CPAFKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
105mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2800 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
255W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW60R099
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
2156-IPW60R099CPAFKSA1
INFINFIPW60R099CPAFKSA1
SP000597860
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPT029N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
IRFS7534-7PPBF
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
IRF7469TRPBF
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
