Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPW60R099P6XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW60R099P6XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12802506
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW60R099P6XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
37.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.21mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3330 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
278W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW60R099
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPW60R099P6XKSA1
HTML Спецификация
IPW60R099P6XKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
2156-IPW60R099P6XKSA1
SP001114658
INFINFIPW60R099P6XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TSM60NB099PW C1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Taiwan Semiconductor Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2055
Номер части
TSM60NB099PW C1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.18
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPZ60R099P6FKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
222
Номер части
IPZ60R099P6FKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.27
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
R6027YNZ4C13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
600
Номер части
R6027YNZ4C13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.81
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STW35N60DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
27
Номер части
STW35N60DM2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.21
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS606NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
IPB019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
BSC037N025S G
MOSFET N-CH 25V 21A/100A TDSON
IPP100N04S303AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3