Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPW60R125C6FKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW60R125C6FKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Инвентаризация:
270 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801456
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW60R125C6FKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 960µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2127 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
219W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-1
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW60R125
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPW60R125C6FKSA1
HTML Спецификация
IPW60R125C6FKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
IPW60R125C6FKSA1-DG
IPW60R125C6
SP000641912
2156-IPW60R125C6FKSA1
448-IPW60R125C6FKSA1
IPW60R125C6-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK25N60X,S1F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
TK25N60X,S1F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.01
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STW34NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
300
Номер части
STW34NM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.32
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXTH30N60L2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
475
Номер части
IXTH30N60L2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
12.61
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STW30N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
573
Номер части
STW30N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.03
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXKH35N60C5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
117
Номер части
IXKH35N60C5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
6.79
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPL60R185C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
IPP052N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
IPB80N04S304ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3